В 2005 году Samsung выпустит чип NAND Flash-памяти в 8 Гбит,

Иллюстрация с официального сайта компании

Корпорация Samsung Electronics объявила о создании чипа NAND Flash-памяти объемом в восемь гигабит, передает France-Presse. Чип сделан на основе 60-нанометровой технологии.

Модуль флэш-памяти, собранный из таких чипов сможет вместить до 16 часов видео или около 4000 MP3-файлов. Использовать же его предстоит в самых разных мобильных устройствах от плейеров до КПК.

Массовое производство микрочипа начнется в конце 2005 года, до этого на рынок будет выпущен 4-гигабайтный чип NAND Flash. В настоящее время Samsung уже является лидером этого рынка, но в планах компании удвоение продаж.

В 2001 году чипы NAND Flash принесли корпорации 400 миллионов долларов, в 2003 году - уже 2,1 миллиарда. Теперь Samsung планирует контролировать 65 процентов рынка.

Еще одним достижением корейского гиганта микроэлектроники стало созданием 2-гигабайтного модуля памяти DDR2 SDRAM (80-нанометровая технология), который должен существенно улучшить работу с видео и 3D-графикой.

По оценкам экспертов, в конце 2005 году модули DDR2 станут лидерами DRAM-рынка. Примерно в это время Samsung и собирается выпустить в продажу свою новинку.