Новый метод основан на создании гибридной подложки, составленной из двух оксидов - кремния и гафния (SiO₂ и HfO₂), а также использовании особой технологии нанесения на нее нанотрубок. В процессе изготовления транзисторов последние закреплялись только на тех участках, которые были покрыты оксидом гафния, в то время как участки из оксида кремния выступали в качестве изоляторов.

Контролируемое нанесение нанотрубок на подложку достигалось с помощью использования поверхностно-активных веществ, которые выступали в качестве посредника между углеродом и активированной поверхностью оксида гафния. При этом технически для изготовления транзисторов достаточно было опустить подложку в суспензию нанотрубок - они сами распределятся вдоль отведенных линий оксида.

В результате, исследователям удалось на два порядка увеличить плотность ориентированных нанотрубок на электронном устройстве по сравнению с ранее описанными методами.

Углеродные нанотрубки представляют интерес для микроэлектроники благодаря своей миниатюрности и полупроводниковым свойствам. Однако, их использование для создания микрочипов требует разработки технологии управляемого нанесения на подложку. С другой стороны, для создания газовых сенсоров нанотрубки можно использовать и аморфном виде - ранее ученые предложили применить их для изготовления детекторов спелости фруктов.

« « Вернуться

Далее » »