Общество

Hewlett-Packard изготовила первый молекулярный модуль памяти

Элемент "молекулярной памяти" представляет собой "сэндвич" - трехслойную структуру, состоящую из двух рядов проводников, между которыми находится слой "запоминающего" вещества. Проводники верхнего и нижнего слоев пересекаются под углом 90 градусов, образуя прямоугольную матрицу. При подаче напряжения на пару ортогональных проводников в месте их пересечения возникает разность потенциалов, меняющая свойства (в частности, сопротивление) вещества-разделителя. Так производится запись информации. Разные сопротивления соответствуют значениям "1" и "0". Используя более низкое напряжение, можно только считывать информацию, не внося изменений.

В первом молекулярном чипе HP задействовано два слоя из 8 платиновых проводников шириной 40 нанометров. Все устройство занимает площадь менее одного квадратного микрона. В дополнение к запоминающей матрице HP разработала столь же миниатюрный демультиплексор, позволяющий считывать информацию. "Это первая демонстрация наноцепи, объединяющей запоминающее устройство и логические элементы", - заявил Стенли Уильямс.

По оценкам специалистов HP, битовая плотность молекулярных устройств, созданных по новой технологии, примерно в десять раз превышает битовую плотность кремниевых микросхем. Еще одним преимуществом является быстрота изготовления: чип создается методом печати на кремниевой подложке за несколько минут. Фотолитографические методы изготовления кремниевых микросхем требуют нескольких недель.

Опытный образец памяти не имеет практического применения из-за малой емкости, однако уже к 2005 году компания рассчитывает изготовить 16-килобитный чип, который может реально использоваться в электронике. В будущем создание полноценных молекулярных микросхем позволит многократно уменьшить размеры и энергопотребление компьютеров.